Thin-film processes I've worked with — CVD, Sputter, and E-beam
Precursor–transport–reaction을 익힌 기초 박막 연구 경험
• Hot-wall CVD • Precursor vaporization • N₂/Ar carrier gas • 450–600°C deposition
• Film density 변화 측정 • Grain size → decomposition rate 상관성 확인
이 경험은 TFT, Passivation layer 공정 이해의 기반이 됨.
DC/RF plasma 기반 박막 형성 및 도핑/형광 특성 분석
• Base pressure 10⁻⁶ torr • Ar plasma (3–5 mtorr) • 다양한 metal/oxide target 사용
• Plasma power → film density 변화 • Deposition rate map
ITO·Ag·Al 박막 증착 이해에 직접적인 기반 제공.
Ag-TiO₂-Ag multilayer + 열처리에 의한 morphology control
• E-beam deposition • Ag 10–20 nm • Annealing 200–500°C
• Continuous → nanoparticle island 변화 • Anti-fogging coating 형성
삼성디스플레이 광학/열 관리 기술과 깊게 연결됨.